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Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材

来源： 作者： 收藏

申请专利号	CN03107912.1
专利申请日	2003.03.24
名称	Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材
公开（公告）号	CN1446941
公开（公告）日	2003.10.08
类别	化学；冶金
颁证日
优先权	2002.3.25 JP 2002－083167;2002.4.1 JP 2002－098751
申请（专利权）	日立金属株式会社
地址	日本东京
发明（设计）人	村田英夫
国际申请
国际公布
进入国家日期
专利代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
代理人	汪惠民
摘要
本发明公开了作为电子器件用的薄膜使用的Ag合金膜的组成、以及通过溅射法用于制造的靶材。Ag合金膜，实质上由选自Sm、Dy以及Tb的任意一种元素：0.1～0.5原子％；选自Au、Cu中至少一种元素：总量为0.1～1.0原子％；以及Ag和作为偶然含有的杂质的其余部分组成。Ag合金膜，例如可以用作平板型显示装置用的布线膜或反射膜。用于制造Ag合金膜的溅射用靶材，实质上由选自Sm、Dy以及Tb的任意一种元素：0.1～0.5原子％；选自Au、Cu中至少一种元素：总量为0.1～1.0原子％；以及Ag和作为偶然含有的杂质的其余部分组成。
主权项
1.一种Ag合金膜，其特征在于，含有(Sm、Dy、Tb)中任一元素的0.1～0.5原子％、Au和/或Cu合计为0.1～1.0原子％，剩余的实质上由Ag构成。