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用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜

来源：网络 作者： 收藏

申请专利号	CN03128025.0
专利申请日	2003.05.23
名称	用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜
公开（公告）号	CN1453768
公开（公告）日	2003.11.05
类别	物理
颁证日
优先权
申请（专利权）	华中科技大学
地址	430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
发明（设计）人	李佐宜;黄致新;林更琪;李震
国际申请
国际公布
进入国家日期
专利代理机构	华中科技大学专利中心
代理人	曹葆青
摘要
本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜，包括底层、磁性层和顶层，所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜，读出层的元素组成为：轻稀土元素12％-18％；重稀土元素：8％-15％；过渡金属元素：68％-80％；写入层的元素组成为：轻稀土元素：7％-17％；重稀土元素：25％-33％；过渡金属元素：50％-68％。由于重稀土元素的饱和磁化强度Ms较小，而轻稀土元素以及过渡金属元素的Ms较大，采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构，在溅射制膜的过程中，调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例，可以获得饱和磁化强度Ms大，磁各向异性常数K
主权项
1、一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜，包括底层、磁性层和顶层，所述磁性层为轻稀土-重稀土-过渡金属双层耦合膜，该双层耦合膜是由读出层和写入层构成，读出层的元素组成为：轻稀土元素：12％-8％；重稀土元素：8％-15％；过渡金属元素：68％-80％；写入层的元素组成为：轻稀土元素：7％-17％；重稀土元素：25％-33％；过渡金属元素：50％-68％。